作者简历 刘泽文，1960年生，法国巴黎第十一大学博士，现在清华大学任教，主要研究方向为微电子器件、RF－MEMS技术和纳米技术。 1． 引言
正当纳米技术在全球范围内掀起一场科技热潮的时候，大规模集成电路已经稳步地进入了纳米时代，特征尺寸小于100纳米的晶体管已经进入大批量生产阶段。大规模集成电路之所以能得到持续发展，主要依赖于光刻技术的不断进步。在传统半导体技术发展规划中，人们关注的下一代主要候选光刻技术是光学（包括极紫外）光刻、电子束光刻、X射线光刻和离子束光刻， 而在2003年制订的《国际半导体技术发展路线》上，一种新型工具—纳米印刻技术赫然在目。由于纳米印刻技术在分辨率、产能和成本等诸多方面的独特优势，它不仅是实现未来小于45纳米特征线宽集成电路的理想候选技术，也是制作各种微米纳米器件包括光电器件、存储器件、微流体器件等的重要手段，已经引起了科研、生产部门的广泛重视。目前在欧洲和美国已经出现了数家生产纳米刻印设备的专门公司如Nanonex、MII、EVG等，所生产的设备已经销往包括我国在内的众多大学、研究机构和大公司。
