M·F·李（李名复）是上海复旦大学ASIC及系统国家重点实验室的微电子学教授，曾任新加坡国立大学电子与计算机工程教授。李教授已经发表了390篇论文并出版了2本专著。本书反映了他在1982-2008年期间在半导体领域精选的研究成果。李教授的研究职业生涯相当不平凡。他1960年毕业于上海复旦大学物理系，但是直到1982年才在国际性专业杂志发表他的第一篇科学论文。几位非常友善的老师和朋友宝贵的建议和及时的援助对李教授的研究职业生涯产生了极大的影响。已故前复旦大学校长谢希德教授引导他进入了半导体这个硕果累累的领域，并且在作者从事该领域研究工作的30年中，给予了不断的支持。已故中国科学院半导体研究所所长黄昆教授也给予他强有力的支持与鼓励，李教授汲取了黄昆教授的建议及其研究风格。
本书共分6章：1. 半导体中的缺陷，内容包括以李教授为第一作者的15篇论文； 2. 半导体能带结构，内容包括以李教授为第一作者或共同作者的8篇论文； 3.模拟集成线路设计，内容包括以李教授为第一作者或共同作者的6篇论文； 4. CMOS器件的可靠性，内容包括以李教授为第一作者或共同作者的19篇论文； 5. CMOS技术，内容包括以李教授为第一作者或共同作者的18篇论文； 6. 纳米CMOS器件量子模拟，内容包括以李教授为共同作者的16篇论文。最后是完整的李教授著作清单。
此外，从著作清单可知，李教授撰写了《半导体物理》一书，1991年由科学出版社出版。本书可以用作从事固体物理、半导体物理及材料、电气工程及半导体器件、以及化学工程工作的研究的科学家，工程师及研究生参考书。
胡光华，退休高工
（原中国科学院物理学研究所）
